绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)是由功率MOSFET跟GTR复合而成的一种具有电压控制的双极型自关断器件。GTR饱和压下降，载流密度大，发电机厂家但驱动电流较大，驱动电复杂;功率MOSFET驱率小，驱动电简朴，开关速率快，但导通压降大，载流密度小。IGBT概括了GTR和功率MOSFET的优点，具有输出高、开关速率快、驱率小、饱跟压下降、控制电简朴、耐压高、功率大等特点，在种种供电变更器中获得极广泛的应用。由于设计极品化及近年来利用了大功率存储器的工艺技能，其特性有了很大的改善，应用局限已超出了过来GTR及功率MOSFET。自1986年投入市场后，IGBT敏捷扩展了应用领域，取代了GTR和一部分功率MOSFET的市场，成为中、大功率供电电子设备的主导器件，没有只利用于供电系列，而且也普遍应用于平常财产、交通运输、通讯系列、较量争论机序列、新动力系列，柴油发电机还应用于照明、空调等家用电器中。目前IGBT的产品已类别化，设备中最高耐压为6500V，电流为1200A，并在继承努力前进功率、电压功率和开关赫兹。现在已成为应用最广泛的供电电子器件之一。
绝缘栅双极型晶体管本性上是一个场效应晶体管，在结构上与功率MOSFET相似，只是原功率MOSFET的漏极跟漏区之间额外增加了一个P+型层。图2所示为一个N沟道加强型绝缘栅双极型晶体管构造剖面图，N+区称为源区，附于其上的电极称为“发射极”(等效于功率MOSFET中的源极)。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为“栅极”。N-层为漂移区，N+层为缓冲区(这个在IGBT中并不是必需)。IGBT的构造中，栅极和源极与功率MOSFET类似，IGBT的构造与功率MOSFET的分歧之处在于IGBT在N沟道功率MOSFET的N+层上增加了一个P+层，构成PN结J1，并由此引出漏极，在IGBT中称为“集电极”。
在IGBT中，与发射极连接的P区、漂移区N-区、缓冲区N+区、P+区构成了一个PNP型晶体管，如图2所示。衔接集电极的P+型注入层是IGBT特有的性能区，起集电极的作用，向漂浮区N-区注入空穴，关于漂浮区N-区举办电导调制，使IGBT在守旧状况下，漂浮区N-区贯穿较高的载流子浓度，以下降器件的通态电压。
IGBT的守旧和关断是由栅极电压来的。当栅极加正向电压时，栅极下方的P区中构成电子载流子导电沟道，电子载流子由发射极的N+区通过导电沟道注入N-漂浮区，即为IGBT外部的PNP型晶体管提供基极电压，从而PNP型晶体管导通，同时也使IGBT导通。此时，为维持N-漂移区的电均衡，P+区向N-漂浮区注入空穴载流子，并保持漂移区N-区具有较高的载流子浓度，即关于N-漂浮区举行电导调制，削减漂移区的导通电阻，使具有长漂浮区的高耐压IGBT也具有低的通态压降。若栅极上加负功率时，MOSFET内的沟道散失，PNP型晶体管的基极功率被切断，IGBT关断。
实际上，在IGBT构造中，除了下面诊断的外部PNP型晶体管外，还拥有一个NPN型晶体管，它由与发射极衔接的N+区、P体区、漂浮区N-区构成。为了防止PNP型与NPN型晶体管组合发生晶闸管效应，计划时尽或者使该NPN型晶体管没有起功效，如图1中，将NPN型晶体管的发射极和基极用铝电极短。因此，IGBT的基本做工与NPN型晶体管有关，能够等效为由N沟道MOSFET作为输入级，PNP型晶体管作为输出级的达林顿管。IGBT相称于一个由MOSFET驱动的厚基区PNP型晶体管(见图3)。IGBT综合了功率MOSFET的快速开关特性和双极型晶体管导通压降低的优点。IGBT因此双极型晶体管为主导体、MOSFET为驱动件的复合器件。
IGBT与MOSFET是平常的，或许经过控制栅极与发射极之间的驱率来实现器件的导通和阻断。IGBT的正向阻断原理与MOSFET相似。当栅极功率UGE低于门槛功率UT时，在IGBT的栅极下方的P体区内，没无形成N型导电沟道，器件处于阻断状况。集电极-发射极之间的正向电压使PN结J2反向偏置，集电极-发射极之间的电压几乎全部由PN结J2接受，这时只有非常小的漏电流通过漂浮区由集电极流向发射极。
当加在IGBT上的栅极电压高于门槛电流UT时，同MOSFET一般，在IGBT的栅极下方的P体区将构成一个导电沟道，将N-漂移区与IGBT的发射极下方的N+区连起来，如图5所示。少量的电子通过导电沟道从发射极注入N-漂浮区，成为内部PNP型晶体管的基极电压，由于J1结正偏，致使大量的空穴由注入区P+区注入N-漂浮区。注入N-漂浮区的空穴经过漂浮和分散两种办法流过漂浮区，最初抵达P体区。当空穴进入P体区后来，吸引了大批来自觉射极接触的金属的电子，这些电子注入P体区，并迅速地与空穴复合，形成器件的导通功率，IGBT处于导通状况。
图6所示为IGBT内部等效MOSFET跟双极型晶体管GTR的结构。在IGBT导通时，其功率通过外部等效MOSFET跟GTR导通。图6所示为IGBT的等效电，IGBT为一个MOSFET与一个双极型晶体管达林顿连接而成。IGBT导通压降为
式中，UJ1为PN结J1的导通压降;Udrift为漂移区体电阻上的压降;Rchannel为P体区的等效导通电阻。由于在IGBT中具有电导调制作用，使得Udrift远小于类似工况下功率MOSFET的导通压降，这样整个IGBT的导通压降将会比MOSFET导通压降要小。
在IGBT中，内部的PNP型双极型晶体管和寄生NPN型双极型晶体管形成了一个晶闸管，如图7所示，具有晶闸管导通时的擎住效应。IGBT的擎住效应或许分为静态擎住效应和动静擎住效应。
静态擎住效应发作于导通形态的IGBT中。在IGBT外部拥有两个晶体管，辨别为PNP型晶体管和NPN型晶体管，在NPN型晶体管的基极和发射极之间并联一个等效体区电阻Rbr。当IGBT导通时，电流流过该体区电阻Rbr，并发生肯定的压降，对于NPN型晶体管的基极来说，相当于加了一个正向偏置功率。在的集电极电流局限内，这个正向偏置功率不够大，因此NPN型晶体管没有会导通。可是，当集电极功率增加到肯定值时，这个正向偏置电流将使NPN型晶体管导通，而且与PNP型晶体管互相鼓励，在这两个晶体管内部形成雷同于晶闸管导通时的电压正反馈现象，使得集电极功率快速上升，抵达饱和状态，若是这时IGBT的栅极控制灯号撤除了，IGBT仍将处于导通状况，这意味着这时IGBT的栅极将得到效用，这种景象称为“静态擎住效应”。
IGBT在关断的历程中也会产生擎住效应，称为“动态擎住效应”。当IGBT关断时，IGBT外部的MOSFET机能单位关断非常迅速，在J2结上反向电压快速建立，J2结上的电压厘革引起位移功率CJ2(duDC/dt)，该位移电流将在体区电阻Rbr上产生一个使外部寄生NPN型晶体管正向偏置的功率。因此IGBT关断速度越快，J2结上的电流变化也越快，由此产生的位移电流也越大，当位移电流超出某一临界值后，将使NPN型晶体管正偏导通，形成类似晶闸管导经过程的电压正反馈现象饶平柴油发电机产生动态擎住效应。动静擎住效应首要由电流变化率决议，此外还受集电极电流ICM及结温等身分影响。动态擎住效应所容许的集电极电流比动态擎住时的还要小，因此制造厂(商)所的临界集电极电流ICM是按不发生动态擎住效应所允许的最大集电极功率断定的。因此在运用IGBT时，必要IGBT的集电极电压，使其小于发明厂(商)的集电极电压最大值ICM。加大栅极驱动电阻将延长IGBT的关断时间，无利于减小电流变化率，IGBT的动态擎住效应。
IGBT的动态个性是指以栅极驱动电压UGE为指标，IGBT通态电压与集电极-发射极电流UCE之间的关联曲线。在一定的集电极-发射极电压UCE下，集电极电流受栅极驱率UGE的控制，UGE越高，IC越大。IGBT的伏安特性通常分为饱跟区、线性放大区、正向阻断区和正向击穿区四个局部，如图8所示。IGBT导通时，应该使IGBT运行于饱跟区；IGBT在关断形态下，外加电流由J2结承担，应当IGBT处于正向阻断区内，此时最大集电极-发射极电压没有该当超过击穿电压UBR。
图9为IGBT搬动个性示用意。转移特性表示的是IGBT集电极电流IC和栅极驱动电压UGE之间的关联，IGBT的转移个性与MOSFET的挪动个性雷同。当栅极驱率小于门槛电流UT时，IGBT处于关断形态。在IGBT导通后的大局部集电极电流局限内，当栅极驱动电压高于门槛电压UT时，IGBT的集电极电流随着栅极驱动电压的减少而减少。最高栅极驱率受最大漏极电压，其极好值日常取为15V。
同MOSFET一般，IGBT的电流转移个性也受温度的影响，当处于大功率区域，在相同的栅极驱动电压条件下，集电极电压和着温度的回升而下降，表现出负温度系数特性。
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绝缘栅双极型晶体管本性上是一个场效应晶体管，在结构上与功率MOSFET相似，只是原功率MOSFET的漏极跟漏区之间额外增加了一个P+型层。图2所示为一个N沟道加强型绝缘栅双极型晶体管构造剖面图，N+区称为源区，附于其上的电极称为“发射极”(等效于功率MOSFET中的源极)。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为“栅极”。N-层为漂移区，N+层为缓冲区(这个在IGBT中并不是必需)。IGBT的构造中，栅极和源极与功率MOSFET类似，IGBT的构造与功率MOSFET的分歧之处在于IGBT在N沟道功率MOSFET的N+层上增加了一个P+层，构成PN结J1，并由此引出漏极，在IGBT中称为“集电极”。
在IGBT中，与发射极连接的P区、漂移区N-区、缓冲区N+区、P+区构成了一个PNP型晶体管，如图2所示。衔接集电极的P+型注入层是IGBT特有的性能区，起集电极的作用，向漂浮区N-区注入空穴，关于漂浮区N-区举办电导调制，使IGBT在守旧状况下，漂浮区N-区贯穿较高的载流子浓度，以下降器件的通态电压。
IGBT的守旧和关断是由栅极电压来的。当栅极加正向电压时，栅极下方的P区中构成电子载流子导电沟道，电子载流子由发射极的N+区通过导电沟道注入N-漂浮区，即为IGBT外部的PNP型晶体管提供基极电压，从而PNP型晶体管导通，同时也使IGBT导通。此时，为维持N-漂移区的电均衡，P+区向N-漂浮区注入空穴载流子，并保持漂移区N-区具有较高的载流子浓度，即关于N-漂浮区举行电导调制，削减漂移区的导通电阻，使具有长漂浮区的高耐压IGBT也具有低的通态压降。若栅极上加负功率时，MOSFET内的沟道散失，PNP型晶体管的基极功率被切断，IGBT关断。
实际上，在IGBT构造中，除了下面诊断的外部PNP型晶体管外，还拥有一个NPN型晶体管，它由与发射极衔接的N+区、P体区、漂浮区N-区构成。为了防止PNP型与NPN型晶体管组合发生晶闸管效应，计划时尽或者使该NPN型晶体管没有起功效，如图1中，将NPN型晶体管的发射极和基极用铝电极短。因此，IGBT的基本做工与NPN型晶体管有关，能够等效为由N沟道MOSFET作为输入级，PNP型晶体管作为输出级的达林顿管。IGBT相称于一个由MOSFET驱动的厚基区PNP型晶体管(见图3)。IGBT综合了功率MOSFET的快速开关特性和双极型晶体管导通压降低的优点。IGBT因此双极型晶体管为主导体、MOSFET为驱动件的复合器件。
IGBT与MOSFET是平常的，或许经过控制栅极与发射极之间的驱率来实现器件的导通和阻断。IGBT的正向阻断原理与MOSFET相似。当栅极功率UGE低于门槛功率UT时，在IGBT的栅极下方的P体区内，没无形成N型导电沟道，器件处于阻断状况。集电极-发射极之间的正向电压使PN结J2反向偏置，集电极-发射极之间的电压几乎全部由PN结J2接受，这时只有非常小的漏电流通过漂浮区由集电极流向发射极。
当加在IGBT上的栅极电压高于门槛电流UT时，同MOSFET一般，在IGBT的栅极下方的P体区将构成一个导电沟道，将N-漂移区与IGBT的发射极下方的N+区连起来，如图5所示。少量的电子通过导电沟道从发射极注入N-漂浮区，成为内部PNP型晶体管的基极电压，由于J1结正偏，致使大量的空穴由注入区P+区注入N-漂浮区。注入N-漂浮区的空穴经过漂浮和分散两种办法流过漂浮区，最初抵达P体区。当空穴进入P体区后来，吸引了大批来自觉射极接触的金属的电子，这些电子注入P体区，并迅速地与空穴复合，形成器件的导通功率，IGBT处于导通状况。
图6所示为IGBT内部等效MOSFET跟双极型晶体管GTR的结构。在IGBT导通时，其功率通过外部等效MOSFET跟GTR导通。图6所示为IGBT的等效电，IGBT为一个MOSFET与一个双极型晶体管达林顿连接而成。IGBT导通压降为
式中，UJ1为PN结J1的导通压降;Udrift为漂移区体电阻上的压降;Rchannel为P体区的等效导通电阻。由于在IGBT中具有电导调制作用，使得Udrift远小于类似工况下功率MOSFET的导通压降，这样整个IGBT的导通压降将会比MOSFET导通压降要小。
在IGBT中，内部的PNP型双极型晶体管和寄生NPN型双极型晶体管形成了一个晶闸管，如图7所示，具有晶闸管导通时的擎住效应。IGBT的擎住效应或许分为静态擎住效应和动静擎住效应。
静态擎住效应发作于导通形态的IGBT中。在IGBT外部拥有两个晶体管，辨别为PNP型晶体管和NPN型晶体管，在NPN型晶体管的基极和发射极之间并联一个等效体区电阻Rbr。当IGBT导通时，电流流过该体区电阻Rbr，并发生肯定的压降，对于NPN型晶体管的基极来说，相当于加了一个正向偏置功率。在的集电极电流局限内，这个正向偏置功率不够大，因此NPN型晶体管没有会导通。可是，当集电极功率增加到肯定值时，这个正向偏置电流将使NPN型晶体管导通，而且与PNP型晶体管互相鼓励，在这两个晶体管内部形成雷同于晶闸管导通时的电压正反馈现象，使得集电极功率快速上升，抵达饱和状态，若是这时IGBT的栅极控制灯号撤除了，IGBT仍将处于导通状况，这意味着这时IGBT的栅极将得到效用，这种景象称为“静态擎住效应”。
IGBT在关断的历程中也会产生擎住效应，称为“动态擎住效应”。当IGBT关断时，IGBT外部的MOSFET机能单位关断非常迅速，在J2结上反向电压快速建立，J2结上的电压厘革引起位移功率CJ2(duDC/dt)，该位移电流将在体区电阻Rbr上产生一个使外部寄生NPN型晶体管正向偏置的功率。因此IGBT关断速度越快，J2结上的电流变化也越快，由此产生的位移电流也越大，当位移电流超出某一临界值后，将使NPN型晶体管正偏导通，形成类似晶闸管导经过程的电压正反馈现象饶平柴油发电机产生动态擎住效应。动静擎住效应首要由电流变化率决议，此外还受集电极电流ICM及结温等身分影响。动态擎住效应所容许的集电极电流比动态擎住时的还要小，因此制造厂(商)所的临界集电极电流ICM是按不发生动态擎住效应所允许的最大集电极功率断定的。因此在运用IGBT时，必要IGBT的集电极电压，使其小于发明厂(商)的集电极电压最大值ICM。加大栅极驱动电阻将延长IGBT的关断时间，无利于减小电流变化率，IGBT的动态擎住效应。
IGBT的动态个性是指以栅极驱动电压UGE为指标，IGBT通态电压与集电极-发射极电流UCE之间的关联曲线。在一定的集电极-发射极电压UCE下，集电极电流受栅极驱率UGE的控制，UGE越高，IC越大。IGBT的伏安特性通常分为饱跟区、线性放大区、正向阻断区和正向击穿区四个局部，如图8所示。IGBT导通时，应该使IGBT运行于饱跟区；IGBT在关断形态下，外加电流由J2结承担，应当IGBT处于正向阻断区内，此时最大集电极-发射极电压没有该当超过击穿电压UBR。
图9为IGBT搬动个性示用意。转移特性表示的是IGBT集电极电流IC和栅极驱动电压UGE之间的关联，IGBT的转移个性与MOSFET的挪动个性雷同。当栅极驱率小于门槛电流UT时，IGBT处于关断形态。在IGBT导通后的大局部集电极电流局限内，当栅极驱动电压高于门槛电压UT时，IGBT的集电极电流随着栅极驱动电压的减少而减少。最高栅极驱率受最大漏极电压，其极好值日常取为15V。
同MOSFET一般，IGBT的电流转移个性也受温度的影响，当处于大功率区域，在相同的栅极驱动电压条件下，集电极电压和着温度的回升而下降，表现出负温度系数特性。
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